2014年合肥工业大学②半导体器件物理考研复试试题（回忆版）
考研时间: 2014-04-30 来源：查字典考研网2014年合肥工业大学②半导体器件物理考研复试试题（回忆版）
1、特征频率，MOS管饱和区漏极电流不饱和原因，扩散电容与势垒电容的区别
2、两种MOSFET的小尺寸效应及对各种器件的影响
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