2015年大连理工大学080903微电子学与固体电子学考研大纲（官方）

查字典查字典考研网快讯，据大连理工大学研究生院消息，2015年大连理工大学080903微电子学与固体电子学考研大纲（官方）已发布，详情如下：

大连理工大学2015年硕士研究生入学考试大纲

科目代码：805 科目名称：半导体物理

试题分为简答题和分析题，其中简答题占33%，分析题(计算题、简单的推导、证明或画图题)占67%，具体复习大纲如下：

一、晶体结构

1、晶体结构的周期性和晶格的对称性.

2、布拉伐格子和倒格子.

3、常见半导体的晶体结构.

二、晶格振动和晶格缺陷

1、一维原子链和三维晶格中的原子振动.

2、玻恩/卡门边界条件和布里渊区.

3、晶格中的缺陷和杂质.

三、半导体中的电子状态

1、电子的运动状态和能带.

2、价带、导带、禁带和载流子.

3、杂质能级和杂质补偿效应.

四、半导体中载流子的统计分布

1、状态密度及费密分布函数.

2、导带电子密度和价带空穴密度.

3、本征半导体、杂质半导体和简并半导体.

五、半导体中的电导现象和霍耳效应

1、载流子散射.

2、电导现象和霍耳效应.

六、非平衡载流子

1、非平衡载流子的产生和复合.

2、连续性方程.

3、非平衡载流子的扩散与漂移.

七、半导体的接触现象

1、金属/半导体接触的整流现象.

2、pn结及其整流现象.

3、异质结.

八、半导体表面

1、表面态与表面空间电荷区.

2、表面场效应现象和MIS结构.

3、MOS的电容/电压特性.

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