2010年天津工业大学考研招生自命题科目半导体物理专业课考试大纲
课程编号:821课程名称:半导体物理
一、考试的总体要求
要求考生掌握半导体物理的基本理论,对基本概念有深刻的理解,对半导体能带理论能灵活应用,具有较强的分析问题和实际解决问题的能力。
二、考试的内容及比例:
考试内容中基本理论、基本知识和基本技能性题目占80%左右,综合和实际应用题目不超过20%。
具体内容如下:
1、半导体中的电子状态:自由电子近似;半导体中电子的运动与导电机构;硅、锗的能带结构;
2、半导体中杂质和缺陷能级:硅、锗晶体中的杂质能级;缺陷;
3、半导体载流子的统计分布;半导体中载流子浓度;一般情况下载流子统计分布;兼并;
4、半导体的导电性:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系;强场效应;耿氏效应;
5、非平衡载流子:非平衡载流子寿命;复合理论;陷阱效应;爱因斯坦关系;连续性关系;
6、PN结:PN结的能带图;I-V特性;结电容;击穿;隧道;
7、金属-半导体接触:金-半能带图;少子注入整体接触与欧姆接触;
8、半导体表面理论:MIS结构的CV特性;硅-二氧化硅系统;表面电场对PN结的影响;
9、异质结:异质结与能带图;
10、半导体光电、磁电和热电效应:光电导、光生伏特、光电池、发光效应;霍尔与磁阻效应;半导体中热电效应的一般描述。
三、试卷题型及比例
试题类型包括:填空题、是非判断题、多重选择题、简答题、画图题、计算题等,每年的试题类型从中选几类,其中计算题所占比例一般为30-40%,其他各类题型一般占70-60%。试题反映本课程的主要内容和要求,适当均匀分布在上述内容中。
四、考试形式及时间
考试形式为笔试。考试时间为3小时。
五、参考书目
1、<<半导体物理>>(第六版)刘恩科等,电子工业出版社,2003
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