2015年天津工业大学085209集成电路工程考研大纲
查字典查字典考研网快讯,据天津工业大学研究生院消息,2015年天津工业大学集成电路工程考研大纲已发布,详情如下:
天津工业大学硕士研究生入学考试业务课考试大纲
课程编号:813课程名称:电子技术基础
一、考试的总体要求
模拟电子技术基础和数字电子技术基础是电子信息、通信工程和电子科学与技术等专业的专业基础课,要求学生必须有扎实的基础理论知识,能够运用所学的知识正确的分析电路的原理、计算电路的参数,灵活的进行应用和设计。
本考试内容由模拟电子技术基础和数字电子技术基础这两部分组成,模拟电子技术基础占60分,数字电子技术基础占90分。
二、考试的内容及比例
1.模拟电子技术基础部分(占40%)
1)半导体器件
PN结:PN结的形成,掌握单向导电特性,二极管:掌握特性曲线,主要参数,稳压管:掌握特性曲线,主要参数。
三极管:放大原理。掌握特性曲线,主要参数,三个工作区。
2)基本放大电路
放大电路的分析:求静态工作点,画微变等效电路,电路电压放大倍数Au、Aus,输入电阻ri,输出电阻ro。
场效场管(FET)放大电路:自给偏压放大电路,分压式偏置放大电路,源极输出器电路求静态工作点、电路电压放大倍数Au、Aus,输入电阻ri,输出电阻ro。
3)组容耦合和直接耦合两极放大电路的分析
4)放大电路中负反馈
反馈的基本概念,反馈的类型判断,说明反馈对放大器性能的影响。
5)差动放大电路
零点漂移概念,差放电路的分析(求静态工作点、差模电压放大倍数Ad、Aus,差模输入电阻rid,输出电阻ro)。
6)集成运算放大电路
基本运算电路、有源滤波电路、电压比较电路的工作原理及分析,分析电路的输入与输出之间的关系,画电路各级输出的波形
7)直流稳压电源
稳压管稳压电路,串联式晶体管稳压器工作原理
2.数字电子技术基础部分(占60%)
1)基本逻辑门电路
与、或、非、与非、或非门的逻辑功能,真值表,符号,用与非门表示其它门电路,TTL集成与非门工作原理,主要参数。
2)组合逻辑电路分析与设计
组合逻辑化简方法,公式化简、卡诺图化简,已知逻辑图求逻辑功能,一般组合逻辑设计,中小规模集成电路原理及应用,加法器、编码器、译码器、数据选择器、数码比较器。
3)双稳态触发器
RS、JK、D触发器原理、功能,真值表,符号及波形图,各触发器应用。
4)时序逻辑电路分析设计
时序逻辑电路分析方法、逻辑功能判断,并行寄存器,移位寄存器的工作原理,二进、十进、N进、同步和异步计数器工作原理、真值表、波形图,中小规模集成电路应用分析设计。
5)信号发生与转换
多谐振荡器,单稳态触发器、施密特触发器原理及应用
三、试题类型及比例
1.填空约占15%。
2.电子线路分析约占40%
3.电子线路计算约占30%
3.综合电路设计约占15%
四、考试形式及时间
考试形式均为笔试,考试时间为三小时(满分150分)
五、主要参考教材(参考书目)
1.童诗白编,《模拟电子技术基础》(第四版),高等教育出版社
2.刘常树主编,《数字逻辑电路》(第一版),高等教育出版社
3.阎石主编,《数字电子技术基础》(第四版),高等教育出版社
天津工业大学硕士研究生入学考试业务课考试大纲
科目编号:815科目名称:半导体集成电路
一、考试的总体要求
"半导体集成电路"是微电子技术专业的主干课程,全面系统地介绍半导体集成电路的基本原理、基本电路和基本分析方法。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。
这门课要求学生熟练掌握半导体集成电路的基础知识和基本电路模型、双极和MOS数字集成电路的特性,使学生具有运用理论基础知识进行定性和定量分析具体电路的能力。
二、考试的内容及比例
1.半导体集成电路的基础知识(占60分)
1)集成电路的基本制造工艺:掌握集成电路的基本制造原理和工艺,了解MOS与Bi-CMOS的制作过程和工艺。
2)集成电路中晶体管类型、模型及其寄生效应:掌握埃伯斯-莫尔模型及其推导过程,理解有源和无源寄生效应产生的原因及影响。
3)集成电路中的无源元件:理解集成电阻器和电容器的作用,了解电阻器和电容器的制作方法。
2.数字集成电路的特性及以及分析方法(占80分)
1)晶体管-晶体管逻辑电路(TTL):理解TTL电路在集成电路中的重要作用,了解各种简单电路的互连和作用。
2)发射极耦合逻辑ECL电路:理解ECL电路的工作原理,了解ECL电路的逻辑扩展特点。
3)MOS反相器:掌握MOS反相器的作用和原理,了解MOS反相器的差异和功能。
4)MOS基本逻辑单元:掌握MOS基本的逻辑单元和结构,理解各种MOS逻辑结构的差异和作用。
5)MOS逻辑功能部件:掌握各种MOS逻辑功能部件的构成原理,了解各种MOS逻辑部件的使用方法和技巧。
3.集成电路的设计方法和步骤:(占10分)
1)集成电路设计概述:掌握集成电路正向设计的原则,了解MOS和双极型电路的设计方法。
2)集成电路的正向设计和逆向设计:掌握正向设计和逆向设计的定义、特点和流程。
三、试卷的题型及比例
考试题型包括名词解释题(30分)、简答题(50分)、论述题(40分)、计算综合题(30分),满分150分。
四、考试形式及时间
考试形式为笔试,时间为三小时。
五、主要参考教材
朱正涌,张海洋,朱元红,《半导体集成电路》(第2版),清华大学出版社,2009。
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