华南理工2011微电子复试经验分享
复试基本结束了,为了将攒RP继续进行下去,我把微电子复试的经验分享分享吧。复试的第一关是笔试,有半导体物理和半导体集成电路可以选,但几乎参加的同学都选了半导体物理
第一题是名词解释,这一次有费米能级,电导有效质量,空穴,少子。还有一个忘记了,共5个名词解释。后面有是一道让你解释杂质补偿的解释题目,还要求画能带图。然后就是一道让你说说光生伏特效应及其应用的题。接着是让你画MIS结构的三种情况并解释
,然后是一道让你画MIS结构C-V曲线的图,最后是一道推导题,我没做出来,是让推到Vs=2Vb,即形成强反型的临界条件。
下午是英语口语面试,这个只占10%,记得准备一个自我简介就是。大家分数差不多的。
第二天上午是专业面试,今年是7V1的面试。7个导师在里面,并且让你抽题回答问题。
我大概说说大家抽到的题、:一个是隧道击穿二极管的应用,还有单片机和可编程的区别,形成欧姆接触的方法。解释MOS管的阈值电压。大概就记得这些。
回答完这个问题后,老师回随机问你问题,后面有个小黑板,会让你画图。前面进去几个都让画CMOS管,也有画HBT管的。如果本科期间有项目,给导师介绍介绍,会让你非常有优势。
第三天结果就出来了。复试还是很重要的,和初试一样的比重,希望各位注意。这绝对不是走过场的复试。华工微电子还是非常重视的。
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