2016年天津理工大学810半导体物理考试大纲
一、考试科目:半导体物理 (810)
二、考试方式:考试采用笔试方式,考试时间为180分钟,试卷满分为150分。
三、试卷结构与分数比重:
填空及选择题:20%;简答题:20%;综合题:60%。
四、考查的知识范围:
1.半导体中的电子状态(10%):能带论,半导体中的电子运动、有效质量,本征半导体的导电机制、空穴,锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。
2.载流子的统计分布(15%):状态密度,费米能级和载流子的统计分布,本征半导体的载流子浓度,杂质半导体的载流子浓度。一般情况下的载流子的统计分布。
3.半导体的导电性(15%):载流子的漂移运动,载流子的散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系,玻尔兹曼方程;强电场效应,热载流子。
4.非平衡载流子(20%):非平衡载流子的注人与复合,非平衡载流子的寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的扩散运动、连续性方程。
5.PN结(15%):PN结及其能带图,PN结电流电压特件。
6.金属和半导体的接触(10%):金属和半导体接触的整流理论,少数载流子的注人,欧姆接触。
7.半导体表面与MIS结构(15%):表面电场效应,理想与非理想的MIS结构的
C-V特性,Si-SiO2系统的性质,表面电导。
五、参考书目:
见2015年研究生招生专业目录
(实习编辑:魏明瑞)
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